Taipei, 21. Februar - Die National Taiwan Normal University hat ein innovatives ferroelektrisches Transistormaterial mit einer Dicke von nur 1,3 Nanometern entwickelt, das als zukünftige Kerntechnologie für Halbleiter gelten könnte. Die Forschungsergebnisse wurden im November 2023 im renommierten Fachjournal "Nature Electronics" veröffentlicht.
Mit Unterstützung des Nationalen Wissenschaftsrats hat die National Taiwan Normal University einen bedeutenden Durchbruch im Bereich ferroelektrischer Materialien erzielt, indem sie einen Transistor entwickelt hat, der sich durch niedrige Spannungen, schnelle Geschwindigkeiten und hohe Stabilität auszeichnet. Physik-Professor Yan-Wen Lan erklärt, dass dieser Transistor sowohl über Speicher- als auch Rechenfunktionen verfüge, was den Energieverbrauch und die Rechengeschwindigkeit deutlich reduziere.
Die Herstellungstechnologie basiert auf weit verbreiteten industriellen Techniken und bietet eine ideale Lösungsoption für fortschrittliche Halbleiterprozesse. Es bleibt abzuwarten, ob Unternehmen die Technologie in Zukunft anwenden werden. Der ultradünne ferroelektrische Transistor besitzt Schlüsseltechnologiepotenzial unterhalb des 3-Nanometer-Technologieknotens.
Link zur Studie: https://www.nature.com/articles/s41928-023-01073-0.